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SE10015
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 先进的沟槽技术可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于脉宽调制（PWM）应用。 简单的驱动要求。 小封装尺寸。 表面贴装器件
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE10015
- 商品编号
- C238621
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.3nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |