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SE1991GA
N沟道增强型MOSFET,电流:50A,耐压:100V
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- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE1991GA
- 商品编号
- C238607
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 223W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 7.3nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |