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SE40300GTS
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:40V 电流:288A
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- 描述
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻。完全表征雪崩电压和电流。改善直通品质因数。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE40300GTS
- 商品编号
- C238616
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 288A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 530pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.42nF |