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SE100250GTS
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:100V 电流:250A
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- 描述
- 先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。简单的驱动要求。小封装外形。表面贴装器件
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE100250GTS
- 商品编号
- C238614
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 208nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 101pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.6nF |