温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SE200100G
停产 N沟道增强型MOSFET,电流:100A,耐压:200V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE200100G
- 商品编号
- C238599
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.382nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
近期成交0单