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SE150180G
N沟道增强型MOSFET,电流:180A,耐压:150V
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于脉冲宽度调制（PWM）应用。驱动要求简单。封装外形小。为表面贴装器件。
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE150180G
- 商品编号
- C238602
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 429W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.977nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 476pF |
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购买数量
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