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8810
2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 8810 是一款低导通电阻 (RDSON) 沟槽 N 沟道 MOSFET，具有强大的 ESD 保护功能。该产品适用于锂离子电池组应用。8810 符合 RoHS 和绿色产品要求，并已获得全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 8810
- 商品编号
- C21882486
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
9928采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 提供环保型器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术