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650SJ520
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
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- 描述
- 650V，8A，在VGS = 10V时，RDS(ON) < 0.6Ω；采用先进的分裂栅沟槽技术；具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷；是无铅产品。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 650SJ520
- 商品编号
- C21882498
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37975克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 950fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF |
商品概述
3020是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。3020符合RoHS和绿色产品要求，100%保证经全功能可靠性认证的EAS。
商品特性
- 650V、8A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 0.6 Ω
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅产品
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理