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3400Q
1个N沟道 耐压:30V 电流:7A
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- 描述
- 3400Q 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3400Q 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 3400Q
- 商品编号
- C21882501
- 商品封装
- SOT-89-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1732克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 静电敏感器件。
- 漏源电压 (VDS) = 30 V
- 漏极电流 (ID) = 5.7 A（栅源电压 VGS = 10 V）
- 导通电阻 RDS(ON) < 26.5 mΩ（栅源电压 VGS = 10 V）
- 导通电阻 RDS(ON) < 32 mΩ（栅源电压 VGS = 4.5 V）
- 导通电阻 RDS(ON) < 48 mΩ（栅源电压 VGS = 2.5 V）
应用领域
- N沟道增强型场效应晶体管。
- 开关应用。