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S160N06T
1个N沟道 耐压:60V 电流:160A
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- 描述
- 分裂栅极沟槽MOSFET技术；优异的封装散热性能；高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S160N06T
- 商品编号
- C21882497
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.726克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 189W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 111.56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.915nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 132pF | |
| 输出电容(Coss) | 3.282nF |
商品概述
WMOS™ C2是第二代超结MOSFET系列，采用电荷平衡技术，实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSS™ C2适用于要求卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 最大结温（Tj）下，VDS = 650 V
- 典型RDS(on) = 0.089 Ω
- 100%进行单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 无铅镀层、无卤
应用领域
- LED照明
- 充电器
- 适配器
- 个人电脑
- 液晶电视
- 服务器