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30G20D
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:16A
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- 描述
- 30G20D 是高性能互补型 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30G20D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 认证，具备完整的功能可靠性。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 30G20D
- 商品编号
- C21882495
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11518克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ；14mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 10.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
WMOS™ F2 是第二代具有快速体二极管的超结 MOSFET 系列。F2 系列在提供快速开关 SJ-MOSFET 所有优势的同时，还具备极快的体二极管。WMOS™ F2 尤其使谐振开关应用更加可靠。
商品特性
- 最大结温（Tj）下，VDS = 700 V
- 典型 RDS(on) = 0.15 Ω
- 100% 进行了非钳位感性开关（UIS）测试
- 无铅镀层、无卤素
应用领域
- LED 照明
- 充电器
- 适配器
- 个人电脑（PC）
- 液晶电视（LCD TV）
- 服务器