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30G20F
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:16A
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- 描述
- 30G20F 是具有高单元密度的高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30G20F 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 认证，具备全面的功能可靠性。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 30G20F
- 商品编号
- C21882496
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17446克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 21.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
650V、8A 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 0.6 Ω 先进的分裂栅沟槽技术 出色的RDS(ON)和低栅极电荷 获得无铅产品认证
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100% EAS保证
应用领域
- 负载开关-PWM应用-电源管理