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30G20F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

30G20F

1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:16A

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描述
30G20F 是具有高单元密度的高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。30G20F 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,100%通过 EAS 认证,具备全面的功能可靠性。
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
30G20F
商品编号
C21882496
商品封装
PDFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.17446克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)21.3W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)9.8nC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道

数据手册PDF

优惠活动

  • 9

    购买数量

    (5000个/圆盘,最小起订量 5 个)
    起订量:5 个5000个/圆盘

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