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4430
1个N沟道 耐压:30V 电流:25A
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- 描述
- 4430 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4430 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 4430
- 商品编号
- C21882488
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.198333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
WMOST™ C4是第四代超结MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOST™ C4适用于要求高功率密度和卓越效率的应用。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100% EAS保证
应用领域
- LED照明-充电器-适配器-个人电脑-液晶电视-服务器