BD82004FVJ-M 和 BD82005FVJ-M 是针对通用串行总线（USB）应用优化的低导通电阻 N 沟道 MOSFET 高边电源开关。它们具备过流保护、过温保护、欠压锁定(UVLO)和软启动功能。

• AEC-Q100 认证
• 内置低导通电阻（典型值 70mΩ）N 沟道 MOSFET
• 电流限制阈值 1.5A
• 控制输入逻辑“高”有效控制逻辑：BD82004FVJ-M
• “低”有效控制逻辑：BD82005FVJ-M
• 软启动电路
• 过流保护
• 热关断
• 欠压锁定保护
• 开漏故障标志输出
• TTL 使能输入

主要规格

• 输入电压范围：2.7V 至 5.5V
• 导通电阻：70mΩ（典型值）
• 过流阈值：1.0A（最小值），2.0A（最大值）
• 通道数：1 通道
• 输出上升时间：0.8ms（典型值）
• 待机电流：0.01μA（典型值）
• 工作温度范围：-40°C 至 +85°C

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