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BD82006FVJ-MGE2
单通道高侧开关IC
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- 描述
- BD82006FVJ - M和BD82007FVJ - M是低导通电阻N沟道MOSFET高端功率开关，专为通用串行总线（USB）应用而优化。BD82006FVJ - M和BD82007FVJ - M具备过流保护、热关断、欠压锁定和软启动功能。
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BD82006FVJ-MGE2
- 商品编号
- C2150448
- 商品封装
- MSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.178克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 最大连续电流 | 3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 2.7V~5.5V | |
| 导通电阻 | 70mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 特性 | 过热保护(OTP)；过流保护(OCP)；欠压保护(UVP) |
商品概述
BD82006FVJ-M 和 BD82007FVJ-M 是为通用串行总线（USB）应用优化的低导通电阻N沟道MOSFET高边电源开关。这些IC配备了过流保护、热关断、欠压锁定和软启动。它们内置了70mΩ（典型值）的低导通电阻和2.4A的电流限制阈值。IC还具有开漏故障标志输出、欠压锁定保护和软启动电路。此外，当电源开关关闭时，它们提供反向电流保护。控制输入逻辑对于BD82006FVJ-M是高电平有效，而对于BD82007FVJ-M则是低电平有效。
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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