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BTS5210G
智能高端功率开关
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- 描述
- 采用电荷泵、地参考CMOS兼容输入和诊断反馈的N沟道垂直功率MOSFET，通过智能SIPMOs技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BTS5210G
- 商品编号
- C2150070
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 通道数 | 2 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 最大连续电流 | 1.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 5.5V~40V | |
| 导通电阻 | 110mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 特性 | 过热保护(OTP)；过压保护(OVP)；短路保护(SCP) |
商品概述
N通道垂直功率MOSFET，带有电荷泵、地参考CMOS兼容输入和诊断反馈，采用智能SIPMOS技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
应用领域
- 与μC兼容的高侧电源开关，带有诊断反馈，适用于12V和24V接地负载
- 适用于各种电阻性、电感性和电容性负载
- 最适合用于具有大浪涌电流的负载，如灯
- 替代电磁继电器、保险丝和分立电路
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交21单
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