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ZXMS6004N8-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZXMS6004N8-13

60V N沟道自保护增强型智能场效应晶体管(IntelliFET MOSFET)

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描述
ZXMS6004N8是一款具备逻辑电平输入的自保护低端MOSFET。它集成了过温、过流、过压(有源钳位)和ESD保护的逻辑电平功能。ZXMS6004N8非常适合作为由3(此处原文未完整,推测可能是3V等电压驱动)驱动的通用开关
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZXMS6004N8-13
商品编号
C2150083
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.153克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录功率电子开关
类型低侧开关
通道数1
输入控制逻辑高电平有效
最大连续电流1.3A
属性参数值
工作电压60V
导通电阻350mΩ
工作温度-40℃~+125℃
特性过热保护(OTP);过压保护(OVP);短路保护(SCP);过流保护(OCP)

商品概述

ZXMS6004N8是一款具有逻辑电平输入的自保护低端MOSFET。它集成了过温、过流、过压(有源钳位)和ESD保护的逻辑电平功能。在标准MOSFET不够耐用的恶劣环境中,ZXMS6004N8非常适合作为由3.3V或5V微控制器驱动的通用开关。

商品特性

  • 低输入电流
  • 逻辑电平输入(3.3V和5V)
  • 带自动重启的短路保护
  • 过压保护(有源钳位)
  • 带自动重启的热关断
  • 过流保护
  • 输入保护(ESD)
  • 高连续电流额定值
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

  • 特别适用于具有高浪涌电流的负载,如灯具和电机
  • 开关应用中的所有类型的电阻性、电感性和电容性负载
  • 适用于12V和24V直流应用的μC兼容电源开关。可替代机电继电器和分立电路
  • 线性模式能力 - 限流保护电路设计为在低VDS时停用,以最小化导通状态功耗。因此,最大直流工作电流由封装/电路板组合的热性能决定,而不是由保护电路决定。这不会影响产品在低VDS时的自保护能力。

数据手册PDF