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ZXMS6005DN8-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZXMS6005DN8-13

60V N沟道自保护增强型IntelliFET MOSFET

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描述
ZXMS6005DN8是一款双路自保护低侧智能场效应晶体管(IntelliFET)MOSFET,具有逻辑电平输入。它集成了过温、过流、过压(有源钳位)和静电放电(ESD)保护的逻辑电平功能。ZXMS6005DN8非常适合作为由3驱动的通用开关
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZXMS6005DN8-13
商品编号
C2150232
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.25016克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录功率电子开关
类型低侧开关
通道数2
输入控制逻辑高电平有效
最大连续电流1.8A
属性参数值
工作电压3V~5.5V
导通电阻200mΩ
工作温度-40℃~+150℃
特性过热保护(OTP);过压保护(OVP);短路保护(SCP);过流保护(OCP)
电压-负载60V(最大)
特性带有自动重启功能
安装类型表面贴装型
输出配置低端
电压-供电(Vcc/Vdd)3.3V,5V
比率-输入:输出1:1
输入类型非反相
输出数2
电流-输出(最大值)1.8A
输出类型N 通道
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
接口开/关
工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
开关类型通用
供应商器件封装8-SOIC
故障保护Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
导通电阻(典型值)150 毫欧

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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