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ZXMS6005DN8Q-13
60V自保护增强模式N沟道IntelliFET MOSFET
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- 描述
- 是一款双路自保护低侧智能场效应晶体管，具有逻辑电平输入。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和静电放电保护逻辑电平功能。适用于标准MOSFET不够耐用的恶劣环境中，由3.3V或5V微控制器驱动的通用开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMS6005DN8Q-13
- 商品编号
- C2150221
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.204克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 低侧开关 | |
| 通道数 | 2 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | 1.8A | |
| 工作电压 | 60V | |
| 导通电阻 | 150mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
ZXMS6005DN8Q 是一款具有逻辑电平输入的双自保护低侧IntelliFETTM MOSFET。它集成了过温、过电流、过电压（主动钳位）和ESD保护的逻辑电平功能。ZXMS6005DN8Q 适用于恶劣环境下的通用开关，由3.3V或5V微控制器驱动，在这种环境下标准MOSFET不够坚固。
- 低输入电流
- 逻辑电平输入（3.3V和5V）
- 短路保护带自动重启
- 过电压保护（主动钳位）
- 热关断带自动重启
- 过电流保护
- 输入保护（ESD）
- 高连续电流额定值
- 完全无铅且符合RoHS标准（注释1和2）
- 无卤素和无锑。“绿色”设备（注释3）
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 可提供PPAP（注释4）
应用领域
- 灯驱动器
- 电机驱动器
- 继电器驱动器
- 线圈驱动器