SLG59H1009V
SLG59H1009V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- SLG59H1009V
- 商品编号
- C2150222
- 商品封装
- STQFN-18(1.6x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 负载开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | 4A | |
| 工作电压 | 20V | |
| 导通电阻 | 13.1mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
SLG59H1009V是一款高性能、自供电的13.1 mΩ NMOS功率开关，专为所有4.5 V至22 V、电流高达4 A的电源轨而设计。采用专有MOSFET设计，SLG59H1009V在较宽的输入电压范围内可实现稳定的13.1 mΩ导通电阻RDS(ON)。通过结合新型FET设计和铜柱互连技术，SLG59H1009V封装在大电流工作时也具有较低的热阻。 SLG59H1009V的工作温度范围为-40 ℃至85 ℃，采用低散热电阻、符合RoHS标准的1.6×3.0 mm STQFN封装。
商品特性
- 通过UL2367认证 - 文件编号E468659
- 最大连续电流：4 A
- 自动nFET安全工作区（SOA）保护
- 高性能MOSFET开关
- 低导通电阻RDS(ON)：输入电压VIN = 22 V时为13.1 mΩ
- 低RDS(ON) / VIN变化率：<0.05 mΩ/V
- 低RDS(ON) /温度变化率：<0.06 mΩ/℃
- 可通过电容调节的浪涌电流控制
- 两级限流保护：可通过电阻调节的有源限流、内部短路限流
- 漏极开路故障信号
- MOSFET电流模拟输出监测：10 μA/A
- 4 kΩ快速输出放电
- 无铅/无卤素/符合RoHS标准的封装
应用领域
- 电源轨开关
- 多功能打印机
- 大幅面复印机
- 电信设备
- 高性能计算
- 5 V、9 V、12 V和20 V负载点电源分配
- 电机驱动器