- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TBD62387AFNG,EL
8通道低电平有效灌电流型DMoS晶体管阵列，适用于感性负载驱动，内置8个电路，高压大电流
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TBD62387AFNG,EL
- 商品编号
- C2150082
- 商品封装
- SSOP-20-4.4mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿晶体管阵列 | |
| 通道数 | 八路 | |
| 最大输入电压(VI) | 6V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 输入电流(on) | -10uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电流(off) | 1uA | |
| 正向压降(Vf) | 2V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 类型 | MOS |
商品概述
TBD62387A系列是具有8路电路的DMOS晶体管阵列。它们集成了用于钳位反电动势的钳位二极管，该反电动势在驱动电感负载时产生。
商品特性
- 内置8路电路
- 高电压：VoUT = 50 V（最大值）
- 高电流：IUT = 500 mA/通道（最大值）
- 输入电压（输出导通）：0至VCC - 3.5 V
- 输入电压（输出关断）：VCC - 0.4 V至5.5 V
- 封装：PG型DIP20 - P - 300 - 2.54A；FNG型SSOP20 - P - 225 - 0.65A