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SI7102DN-VB实物图
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SI7102DN-VB

1个N沟道 耐压:20V 电流:58A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极性的功率场效应管，采用Trench技术，适合于空间有限的应用场合。DFN8(3X3)；N—Channel沟道,20V；58A；RDS(ON)=5.5mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI7102DN-VB
商品编号
C20755586
商品封装
DFN3x3-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.21克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)58A
导通电阻(RDS(on))5.7mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)31.2W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.45nF
反向传输电容(Crss)38pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)445pF

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