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STU3N45K3-VB实物图
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STU3N45K3-VB

1个N沟道 耐压:650V 电流:2A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于小功率电源、电动车辆、智能家居设备等领域。TO251；N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
STU3N45K3-VB
商品编号
C20755605
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
1.545克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))4Ω@10V
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11nC@10V
输入电容(Ciss)417pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)45pF

数据手册PDF

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