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SUD40N08-16_08-VB

1个N沟道 耐压:80V 电流:75A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于广泛的电子设备和系统，包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块。TO252；N—Channel沟道,80V；75A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SUD40N08-16_08-VB
商品编号
C20755606
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.422克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V
耗散功率(Pd)62.5W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35.5nC@10V
输入电容(Ciss)1.855nF
反向传输电容(Crss)76pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)950pF

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