UT4421L-S08-R-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:8A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单P型MOSFET器件,采用Trench工艺制造,适用于各种电子设备和系统中。SOP8;P—Channel沟道,-60V;-8A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- UT4421L-S08-R-VB
- 商品编号
- C20755612
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 142pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 417pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- UTT50N06L-TA3-T-VB
- VS4407AS-VB
- XP202A0003MR-G-VB
- ZXMHC3A01T8TC-VB
- SUM75N06-09L-E3-VB
- FDD6690A-VB
- IRL3705ZSPBF-VB
- SUM90N10-8M2P-GE3-VB
- 3N06-VB
- CSD18532NQ5B-VB
- FDS6898A-NL-VB
- SI3410DV-T1-GE3-VB
- SQM60N06-15-GE3-VB
- 2SK2414-Z-E2-VB
- BUK7210-55B-VB
- FDMA430NZ-VB
- MTP45N05E-VB
- PSMN027-100PS-VB
- STB80NF55L-08T4-VB
- 110N04UJ-VB
- 15N65C3-VB TO220

