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FDS6898A-NL-VB
2个N沟道 耐压:20V 电流:10A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N+N沟道场效应管，采用Trench技术制造，具有优良的温度特性和高可靠性，适用于中功率应用场景。SOP8；2个N—Channel沟道,20V；10A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.5~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDS6898A-NL-VB
- 商品编号
- C20755623
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 586pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
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