4N80L-TN3-R-VB
1个N沟道 耐压:800V 电流:2.8A
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
4N80L-TN3-R-VB商品编号
C20755639商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 800V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.38Ω@10V |
数据手册PDF
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