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110N04UJ-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:280A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于高功率和高电压的场合，可广泛应用于各种大功率电子设备和模块中。TO263；N—Channel沟道,40V；280A；RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 110N04UJ-VB
- 商品编号
- C20755632
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.853克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 260nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.335nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 850pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.15nF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
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