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SI7336DP-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要更高漏极电流和低导通电阻的应用场景。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7336DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C20755587
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 155W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 425pF |
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