温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STF12NM50N-VB
1个N沟道 耐压:550V 电流:11A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Plannar技术制造。适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。TO220F；N—Channel沟道,550V；18A；RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STF12NM50N-VB
- 商品编号
- C20755599
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.094nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 152pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
相似推荐
其他推荐
- STK0465F-VB
- STP4NC60A-VB
- STP7NC80ZFP-VB
- STP7NK80ZFP-VB
- STS8DNH3LL-VB
- STU3N45K3-VB
- SUD40N08-16_08-VB
- SUM90N06-4M4P-E3-VB
- T23N03-VB TO252
- TK12A65D-VB
- UF630L-TN3-R-VB
- UPA1900TE-VB
- UT4421L-S08-R-VB
- UTT50N06L-TA3-T-VB
- VS4407AS-VB
- XP202A0003MR-G-VB
- ZXMHC3A01T8TC-VB
- SUM75N06-09L-E3-VB
- FDD6690A-VB
- IRL3705ZSPBF-VB
- SUM90N10-8M2P-GE3-VB