我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
STK0465F-VB实物图
  • STK0465F-VB商品缩略图
  • STK0465F-VB商品缩略图
  • STK0465F-VB商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

STK0465F-VB

1个N沟道 耐压:650V 电流:4A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，采用Plannar技术制造，具有高性能和可靠性。适用于各种电源和功率控制应用。TO220F；N—Channel沟道,650V；4A；RDS(ON)=2500mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
STK0465F-VB
商品编号
C20755600
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
3.71克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@10V
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)48nC
输入电容(Ciss)1.08nF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)177pF

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

  • 8.5折

    购买数量

    (50个/管，最小起订量 1 个)
    个
    起订量：1 个50个/管

    总价金额：

    ￥ 0.00

    近期成交0单