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STP7NK80ZFP-VB
1个N沟道 耐压:800V 电流:5A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种功率控制和开关电路。TO220F；N—Channel沟道,800V；5A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STP7NK80ZFP-VB
- 商品编号
- C20755603
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 490pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
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