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SIRFR5305TRPBF
1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SIRFR5305TRPBF
- 商品编号
- C20754790
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44792克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（R_DS(on)）。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = -60V, ID = -30A, RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = -10V
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低 \mathsfR\mathsfDS(\mathsfON)
- 封装散热性能良好