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NVD5C688NLT4G(UMW)
耐压:60V 电流:17A
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- 描述
- 特性：VDS(V) = 60V。 ID = 17A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = 4.5V)。 低RDS(ON)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动损耗
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- NVD5C688NLT4G(UMW)
- 商品编号
- C20754805
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4344克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@15uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
优惠活动
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