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YJG60G04HHQ
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- 采用分裂栅沟槽MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计，实现低RDS(ON)。湿度敏感度等级为1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤。后缀为“Q”的产品表示符合AEC-Q101标准
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJG60G04HHQ
- 商品编号
- C20605798
- 商品封装
- PDFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2074克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 335pF |
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