YJG40G10B

N沟道增强型场效应晶体管

描述

漏源电压（VDS）为 100V，漏极电流（ID）为 40A，在 VGS = 10V 时，静态漏源导通电阻 RDS(ON) < 21mΩ；在 VGS = 6V 时，RDS(ON) < 25mΩ。经过 100% EAS 测试和 100% VDS 测试。采用分裂栅沟槽 MOSFET 技术。出色的散热封装。高密度单元设计，实现低 RDS(ON)。湿度敏感度等级为 1 级。环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。无卤

品牌名称

YANGJIE(扬杰)

商品型号

YJG40G10B

商品编号

C20605783

商品封装

PDFN5060-8L​

包装方式

编带

商品毛重

0.19克(g)