温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
YJG40G10B
N沟道增强型场效应晶体管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 漏源电压（VDS）为 100V，漏极电流（ID）为 40A，在 VGS = 10V 时，静态漏源导通电阻 RDS(ON) < 21mΩ；在 VGS = 6V 时，RDS(ON) < 25mΩ。经过 100% EAS 测试和 100% VDS 测试。采用分裂栅沟槽 MOSFET 技术。出色的散热封装。高密度单元设计，实现低 RDS(ON)。湿度敏感度等级为 1 级。环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。无卤
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJG40G10B
- 商品编号
- C20605783
- 商品封装
- PDFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
- 分裂栅极沟槽式MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于降低漏源导通电阻（RDS(ON)）的高密度单元设计
- 防潮等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- VDS 100V
- ID 40A
- RDS(ON)(在 VGS=10 V 时)< 21 mΩ
- RDS(ON)(在 VGS = 6 V 时)< 25 mΩ
- 100%进行EAS测试
- 100%进行△VDS测试
应用领域
-功率开关应用-不间断电源-DC-DC转换器