商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
商品概述
GTVA107001EC和GTVA107001FC是700瓦的碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT),适用于直流 - 1.4 GHz频段。
商品特性
- 碳化硅基氮化镓HEMT技术
- 输入匹配
- 输出功率P3dB = 890 ~W
- 漏极效率 = 75%
- 增益 = 18 dB
- 在脉冲条件下(50 V、100mA IDQ、128~\mu s脉冲宽度、10%占空比),在700 W峰值功率下,能够承受10:1的负载失配和所有相位角
- 人体模型IC类(符合ANSI/ESDA/JEDEC JS - 001标准)
- 无铅且符合RoHS标准
- A/DLP-D10-W-B-N-A-0-C-0P-S
- FCQ38999/26JJ43PEMIL-STD-461
- MGM240PB32VNA3
- FCQ38999/26WJ43PNMIL-STD-461
- A/RH2-100-3W-O-4X
- A/RH3-AN-RS-A16-C5
- FCQ38999/20WJ20PDMIL-STD-461
- 6560-0139-14
- GTC030LCF32-13SW-025-LC
- ACC01E28-3PZ-003-B30-LC
- A/TT100-RS-4-C5
- A/TTM100-R-4
- AAT1272IWO-T1
- 70P3519S166BCG
- A/RH1-AN-R2
- A/RH2-O
- A/TT1K-RS-4-LCD-B4
- 1926190-2
- A/RH2-1.8K-R2
- A/TT1K-O-1-4X
- 552CG000348DGR