商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 87A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.81nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 393pF |
商品特性
-超低损耗-零反向恢复电流-零关断拖尾电流-高频运行-VF 和 VDS(ON) 具有正温度系数-铜基板、AIN DBC-可实现紧凑轻便的系统-高效运行-易于进行晶体管栅极控制-降低散热要求-降低系统成本
应用领域
- 太阳能逆变器
- 不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS)
- 感应加热
- 再生驱动器
- 三相功率因数校正(PFC)
- 电机驱动器