商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 89A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21.3mΩ@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
FETKY™ 系列的共封装 HEXFET 场效应管和肖特基二极管为设计师提供了一种创新的节省电路板空间的解决方案，适用于开关稳压器应用。第五代 HEXFET 场效应管采用先进的处理技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。将这项技术与国际整流器公司（International Rectifier）的低正向压降肖特基整流器相结合，可得到一种非常高效的器件，适用于各种便携式电子设备应用。 SO-8 封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性。SO-8 封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。
商品特性
-超低损耗-高频运行-MOSFET零关断拖尾电流-常关、故障安全器件运行-可选预涂覆热界面材料
应用领域
-DC-DC转换器-电动汽车充电器-高效转换器/逆变器-可再生能源-智能电网/并网分布式发电