商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 916A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.86mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.778kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 97.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
适用于3400 MHz至3600 MHz频率范围基站应用的10 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
-超低损耗-高频运行-MOSFET关断无拖尾电流-常关型、故障安全器件运行
应用领域
-铁路、牵引和电机驱动-电动汽车充电器-高效转换器/逆变器-可再生能源-智能电网/并网分布式发电