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EDY4016AABG-DR-F-R TR引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

EDY4016AABG-DR-F-R TR

4Gb:X16 DDR4 SDRAM

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品牌名称
micron(美光)
商品型号
EDY4016AABG-DR-F-R TR
商品编号
C20445002
商品封装
96-FBGA (7.5x13.5)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)DDR4 SDRAM
时钟频率(fc)1.2GHz
存储容量4Gbit
工作电压1.14V~1.26V
属性参数值
工作电流-
刷新电流-
工作温度0℃~+95℃
功能特性写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

商品特性

  • VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV
  • VPP = 2.5V，-125mV / +250mV
  • 片上、内部、可调的VREFDQ生成
  • 1.2V伪开漏I/O
  • 工作温度范围为0°C至95°C
  • 在0°C至85°C时，64ms内进行8192次刷新
  • 在85°C至95°C时，32ms内进行刷新
  • 8个内部存储体：每组4个存储体，共2组
  • 8n位预取架构
  • 可编程数据选通前置码
  • 数据选通前置码训练
  • 命令/地址延迟（CAL）
  • 多功能寄存器读写功能
  • 写和读电平调整
  • 自刷新模式
  • 低功耗自动自刷新（LPASR）
  • 温度控制刷新（TCR）
  • 精细粒度刷新
  • 自刷新中止
  • 最大节能
  • 输出驱动器校准
  • 标称、空闲和动态片上终端（ODT）
  • 数据总线反相（DBI）用于数据总线
  • 命令/地址（CA）奇偶校验
  • 数据总线写循环冗余校验（CRC）
  • 每个DRAM可寻址
  • 连接性测试
  • 符合JEDEC JESD - 79 - 4标准

数据手册PDF

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