商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.73mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.206kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 79.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 2.9nF |
商品概述
1200 V、480 A碳化硅半桥模块
商品特性
- 低电感、低外形、62 mm 封装尺寸
- 高结温(175 °C)工作
- 采用经过开关优化的第三代 SiC MOSFET 技术
- 轻质 AlSiC 底板
- 高可靠性氮化硅绝缘体
应用领域
- 铁路与牵引
- 太阳能
- 电动汽车充电器
- 工业自动化与测试