商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 640A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.97mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.59uC@15V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 43.1nF |
商品特性
- 低电感、低外形62mm封装尺寸
- 高结温(175 °C)工作
- 采用开关优化的第三代碳化硅MOSFET技术
- 二极管零反向恢复
- 轻质AlSiC底板
- 高可靠性氮化硅绝缘体
应用领域
-铁路、牵引和电机驱动-电动汽车充电器-高效转换器/逆变器-可再生能源-智能电网/并网分布式发电