商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 168A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.4mΩ@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
一款双增强型P沟道硅MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这款节能型MOSFET具有低导通电阻rDS(ON)、低栅极电荷和低阈值电压的优势。
商品特性
- 超低损耗
- 高频运行
- MOSFET关断无拖尾电流
- 常关、故障安全器件运行
- 可选预涂覆热界面材料
应用领域
- DC-DC转换器
- 电动汽车充电器
- 高效转换器/逆变器
- 可再生能源
- 智能电网/并网分布式发电