- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT60B4G4HB-48B:A
16Gb DDR5 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT60B4G4HB-48B:A
- 商品编号
- C20427215
- 商品封装
- 82-VFBGA (9x11)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR5 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.4GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 103mA | |
| 刷新电流 | 102mA | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；片上纠错码；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- 工作电压VDD与VDDQ为1.1V，VPP为1.8V
- 具备用于DQ、CA、CS的片内可调内部基准电压生成电路
- 采用1.1V伪漏极开路输入/输出
- 最高工作结温为95摄氏度
- 支持32毫秒、8192周期的刷新，工作温度最高至85摄氏度
- 在85摄氏度至95摄氏度温度范围内，支持16毫秒、8192周期的刷新
- 对于x4与x8配置，具有32个内部存储体，分为8组，每组4个存储体
- 对于x16配置，具有16个内部存储体，分为4组，每组4个存储体
- 采用16n位预取架构
- 采用1周期或2周期命令结构
- 支持2N模式
- 支持全存储体与同存储体刷新
- 支持多功能命令
- 支持片选/命令地址训练模式
- 支持片内纠错码功能
- 支持纠错码透明性与错误擦洗
- 支持判决反馈均衡技术
- 支持环回模式
- 支持基于命令的非目标端标称、数据输入/输出与数据选通停放，以及动态写入片内终端匹配
- 支持软性与硬性永久修复能力
- 支持按动态随机存取存储器寻址
- 符合JEDEC JESD-79.5标准
- ACC06E22-20SW-003-B30-LC
- TG2016SBN 26.0000M-PCGNDM3
- FCQ38999/26SJ8BDMIL-STD-461
- GTC01A28-AYPZ-B30-LC
- FCQ38999/24MB54PAMIL-STD-461
- IS43TR16640A-125JBLI-TR
- GTC00-28-9SZ-RDS-LC
- FCQ38999/20GG35SCMIL-STD-461
- FCQ38999/20ME2ANMIL-STD-461
- FCQ38999/20WJ4SNMIL-STD-461
- FCQ38999/26ZB5SEMIL-STD-461
- FCQ38999/27NE6SNMIL-STD-461
- 2007710-1
- 6450871-1
- CF100-302JTR
- FCQ38999/20LF18SCMIL-STD-461
- FCQ38999/20FG35SDMIL-STD-461
- FCQ38999/20LC8SCMIL-STD-461
- DTHD04-1-4P-L009
- ELJ-RE33NJF2
- FCQ38999/20GJ46PNMIL-STD-461