MT60B2G8HB-56B:G
16Gb DDR5 SDRAM Die
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT60B2G8HB-56B:G
- 商品编号
- C20427346
- 商品封装
- 82-VFBGA (9x11)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR5 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.8GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；CRC功能；片上纠错码；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = VDDQ = 1.1V（标称值）
- Vpp = 1.8V（标称值）
- 针对DQ、CA、CS的片上内部可调VREF生成
- 1.1V伪开漏I/O
- 最高结温可达95℃
- 在最高85℃时，32ms、8192周期刷新
- 在高于85℃时，16ms、8192周期刷新
- 32个内部存储体（x4、x8）：每组4个存储体，共8组
- 16个内部存储体（x16）：每组4个存储体，共4组
- 16n位预取架构
- 1周期/2周期命令结构
- 2N模式
- 全存储体和同存储体刷新
- 多用途命令（MPC）
- CS/CA训练模式
- 片上ECC（有界故障）
- ECC透明性和错误清理
- 判决反馈均衡（DFE）
- 回环模式
- 基于命令的非目标（NT）标称、DQ/DQS停放和动态写片上终端（ODT）
- sPPR和hPPR能力
- 每个DRAM可寻址性
- 符合JEDEC JESD - 79.5标准
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