- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT60B2G8HB-48B IT:A
16Gb DDR5 SDRAM
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT60B2G8HB-48B IT:A
- 商品编号
- C20427318
- 商品封装
- 82-VFBGA (9x11)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR5 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.4GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 92mA | |
| 刷新电流 | 102mA | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；片上纠错码；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = VDDQ = 1.1V（标称值）
- Vpp = 1.8V（标称值）
- 片上、内部、可调节的DQ、CA、CS的VREF生成
- 1.1V伪开漏I/O
- 最高结温可达95°C
- 在最高85°C时，32ms、8192周期刷新
- 在高于85°C至95°C时，16ms、8192周期刷新
- 32个内部存储体（x4、x8）：每组4个存储体，共8组；16个内部存储体（x16）：每组4个存储体，共4组
- 16n位预取架构
- 1周期/2周期命令结构
- 2N模式
- 全存储体和同存储体刷新
- 多功能命令（MPC）
- CS/CA训练模式
- 片上ECC（有界故障）
- ECC透明性和错误清理
- 判决反馈均衡（DFE）
- 回环模式
- 基于命令的非目标（NT）标称、DQ/DQS停放和动态写片上端接（ODT）
- sPPR和hPPR能力
- 每个DRAM可寻址性
- 符合JEDEC JESD - 79.5标准
- MT60B2G8HB-56B:G
- FCQ38999/26FJ43PEMIL-STD-461
- FCQ38999/24MG35SBMIL-STD-461
- LTA/GTRB266908FC-E2
- ELJ-RE56NJF3
- IS43TR16128AL-15HBLI
- YQ20M00000S416
- W25Q16CLSVIG
- ERB21B5C2E150JDX1L
- FCQ38999/21NJ4PBMIL-STD-461
- SMDTD03100KA00MP00
- GTC030LCF24-AJSY-025-LC
- FCQ38999/20JD19PDMIL-STD-461
- FCQ38999/26LC8PAMIL-STD-461
- FCQ38999/20TA35SBMIL-STD-461
- FCQ38999/24TJ20SNMIL-STD-461
- FCQ38999/20SJ8BEMIL-STD-461
- GTC06LCFZ32-58S-025-LC
- FCQ38999/24JE8ANMIL-STD-461
- FCQ38999/26FH21SEMIL-STD-461
- 2-2356607-3