IS43TR16128AL-15HBLI

2Gb DDR3 SDRAM高速数据传输

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品牌名称: ISSI(北京矽成)
商品型号: IS43TR16128AL-15HBLI
商品编号: C20427329
商品封装: 96-TWBGA (9x13)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM

	属性	参数值
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

商品概述

本文详细介绍了256Mx8、128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM的相关信息。包括其特性，如标准电压、低电压、高速数据传输速率、8个内部存储体、8n位预取架构、可编程CAS延迟等；还说明了不同配置、封装、刷新间隔等选项；阐述了DDR3封装引脚布局、功能描述，如复位和初始化过程，包括上电初始化序列的具体步骤和要求等。

商品特性

标准电压：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
低电压（L）：VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V， - 0.067V，向后兼容1.5V
高速数据传输速率，系统频率高达933MHz
8个内部存储体用于并发操作
8n位预取架构
可编程CAS延迟
可编程附加延迟：0，CL - 1，CL - 2
基于tCK的可编程CAS写延迟（CWL）
可编程突发长度：4和8
可编程突发序列：顺序或交错
突发长度动态切换
自动自刷新（ASR）
自刷新温度（SRT）
配置：256Mx8、128Mx16
封装：x16为96球FBGA（9mm x 13mm），x8为78球FBGA（8mm x 10.5mm）
刷新间隔：7.8μs（8192周期/64ms），Tc = - 40°C至85°C；3.9μs（8192周期/32ms），Tc = 85°C至105°C
部分阵列自刷新
异步复位引脚
支持TDQS（终结数据选通）（仅x8）
OCD（片外驱动器阻抗调整）
动态ODT（片内终结）
驱动器强度：RZQ/7，RZQ/6（RZQ = 240Ω）
写电平校准
DLL关闭模式下高达200MHz
工作温度：商业级（Tc = 0°C至 + 95°C）；工业级（Tc = - 40°C至 + 95°C）；汽车级，A1（Tc = - 40°C至 + 95°C）；汽车级，A2（Tc = - 40°C至 + 105°C）

数据手册PDF

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