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IS43TR16128AL-125KBL-TR实物图
  • IS43TR16128AL-125KBL-TR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS43TR16128AL-125KBL-TR

2Gb DDR3 SDRAM高速数据传输

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私有库下单最高享92折
品牌名称
ISSI(美国芯成)
商品型号
IS43TR16128AL-125KBL-TR
商品编号
C20429324
商品封装
96-TWBGA (9x13)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)DDR3L SDRAM
时钟频率(fc)800MHz
存储容量2Gbit
工作电压1.283V~1.45V
属性参数值
工作电流-
刷新电流-
工作温度0℃~+95℃
功能特性写入均衡功能;自动自刷新;自动预充电功能;异步复位功能;动态片上端接;数据掩码功能

商品特性

  • 标准电压:VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V
  • 低电压(L):VDD 和 VDDQ = 1.35V + 0.1V, - 0.067V
  • 高速数据传输速率,系统频率高达 933MHz
  • 8 个内部存储体,可并发操作
  • 8 位预取架构
  • 可编程 CAS 延迟:5、6、7、8、9、10 和 11
  • 可编程附加延迟:0、CL - 1、CL - 2
  • 基于 tCK 的可编程 CAS 写入延迟(CWL)
  • 可编程突发长度:4 和 8
  • 可编程突发序列:顺序或交错
  • 动态 BL 切换
  • 自动自刷新(ASR)
  • 自刷新温度(SRT)
  • 刷新间隔:7.8μs(8192 周期 / 64ms),Tc = - 40°C 到 85°C;3.9μs(8192 周期 / 32ms),Tc = 85°C 到 105°C
  • 部分阵列自刷新
  • 异步复位引脚
  • 支持 TDQS(终结数据选通)(仅 x8)
  • OCD(片外驱动器阻抗调整)
  • 动态 ODT(片上终结)
  • 驱动器强度:RZQ/7、RZQ/6(RZQ = 240Ω)
  • 写入校准
  • 工作温度:商业级(Tc = 0°C 到 + 95°C);工业级(Tc = - 40°C 到 + 95°C);汽车级 A1(Tc = - 40°C 到 + 95°C);汽车级 A2(Tc = - 40°C 到 + 105°C)

数据手册PDF