IS43TR16640A-125JBLI-TR

Name: ISSI(北京矽成) IS43TR16640A-125JBLI-TR
Brand: ISSI(北京矽成)
SKU: C20427235
Price: 27.84 CNY
Availability: OutOfStock

128Mx8、64Mx16 1Gb DDR3 SDRAM，高速数据传输，支持多种功能

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商品参数

	属性	参数值
	工作电压	1.425V~1.575V
	工作温度	-40℃~+95℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

标准电压：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
低电压（L）：VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V，-0.067V
高速数据传输速率，系统频率高达933 MHz
8个内部存储体，可并发操作
8位预取架构
可编程CAS延迟：5、6、7、8、9、10和11
可编程附加延迟：0、CL - 1、CL - 2
基于tCK的可编程CAS写延迟（CWL）
可编程突发长度：4和8
可编程突发序列：顺序或交错
动态切换突发长度
自动自刷新（ASR）
自刷新温度（SRT）
刷新间隔：7.8 μs（8192周期/64 ms），Tc = -40°C至85°C；3.9 μs（8192周期/32 ms），Tc = 85°C至105°C
部分阵列自刷新
异步复位引脚
支持TDQS（终端数据选通）（仅x8）
OCD（片外驱动器阻抗调整）
动态ODT（片上终端）
驱动器强度：RZQ/7、RZQ/6（RZQ = 240 Ω）
写电平校准
工作温度：商业级（Tc = 0°C至+95°C）；工业级（Tc = -40°C至+95°C）；汽车级A1（Tc = -40°C至+95°C）；汽车级A2（Tc = -40°C至+105°C）